硅基ESD

ESD(静电放电二极管),即静电放电二极管。它是一种具有两个电极的半导体器件,当施加在两极之间的电压达到一定值时,它们之间会产生电场以移动电子并形成电流。

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规格列表
Model Package VRWM VBR=V(Min) VBR=V(Max) IPP=A(MAX) VC=V(MAX) Cj=PF polarity
DFN1006-2L 12.0 14.5 16.5 20.0 30.0 50 Un
DFN1006-2L 12.0 14.5 16.5 25.0 30.0 50.0 Un
DFN1006-2L 12.0 13.5 16.0 20.0 40.0 25.0 Bi
DFN1006-2L 12.0 13.3 17.0 4.0 20.0 9.0 Bi
DFN1006-2L 12.0 13.0 15.5 8.0 21.0 8.0 Bi
DFN1006-2L 7.0 12.0 16.5 16.0 20.0 15.0 Bi
DFN1006-2L 7.0 7.5 9.5 5.0 17.0 15.0 Bi
DFN1006-2L 6.2 6.5 9.5 5.0 16.0 10.0 Bi
DFN1006-2L 5.0 5.5 7.5 100.0 10.5 200 Bi
DFN1006-2L 5.0 5.5 7.5 50.0 10.5 110~130 Un
DFN1006-2L 5 5.5 7 30 12 60 Bi
DFN1006-2L 5.0 5.5 7.0 20.0 12.0 60.0 Bi
DFN1006-2L 5.0 5.5 7.0 18 12 30.0 Bi
DFN1006-2L 5.0 6.0 7.5 18.0 8.5-9.5 25-30 Bi
DFN1006-2L 5.0 5.5 8.0 10.0 13.0 18-30 Bi
DFN0603-2L 5.0 5.5 7.5 8 9.5 15 Bi
DFN1006-2L 5.0 5.6 5.5 5.5 12.0 10.0 Bi
DFN1006-2L 5.0 5.5~9 9.0 4.5 13.0 6~9 Bi
DFN1006-2L 5.0 5.6 8.0 5.5 12 15 Bi
DFN1006-2L 5.0 6.0 9.0 2.0 12.0 3.0 Bi
DFN1006-2L 5.0 6.0 8.0 15.0 14 1.3-1.55 Bi
DFN1006-2L 5 6 9 8 20 1.0 Bi
DFN1006-2L 5.0 6.5 8.5 4.0 12.0 0.4 Bi
DFN1006-2L 5.0 6.5 9.0 4.0 15.0 0.35 Bi
DFN1006-2L 5 6.5 9.0 4.0 20 0.3 Bi
DFN1006-2L 4.5 5.0 6.5 80 10.5 200 Un
DFN1006-2L 3.3 4.0 6.5 33 12.0 50~70 Bi
DFN1006-2L 3.3 3.8 5.0 8.0 9.0 15 Bi
DFN0603-2L 3.3 3.6 5.0 10.0 10.0 12.0 Bi
DFN1006-2L 3.3 4.0 10.0 8.5 7.2 0.8-1.0 Bi
DFN0603-2L 3.3 6.0 9.5 3.0 13.5 0.35-0.5 Bi
DFN1006-2L 3.3 4.0 10.0 4.0 8.0 0.4-0.55 B
DFN1006-2L 2.0 6.5 10 4.0 6.0 0.5~0.7 Bi
DFN0603-2L 12.0 13.0 15.5 6.0 20.0 8.0 Bi
DFN0603-2L 7 7.5 10 5 17 10 Bi
063 6 22 28 2.0 - 10 -
DFN0603-2L 5.0 6.0 8.0 4.0 10.0 0.35~0.5 Bi
DFN0603-2L 3.3 3.7 5.5 20.0 9.5 30.0 Bi
DFN0603-2L 3.3 3.8 5.0 11.0 9.0 15.0 Bi
DFN0603-2L 3.3 4.2 6.5 8.0 9.0 15.0 Bi
DFN0603-2L 3.3 4.0 10.0 4.0 8.0 0.4-0.55 Bi
DFN0603-2L 3.3 4.0 10.0 4.0 8.0 0.4-0.55 Bi
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