小信号MOS

小信号MOS管是一种用于频率范围在几千赫兹至几百兆赫兹之间的小信号放大器应用的晶体管。它是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其结构由源极（S）、漏极（D）和栅极（G）组成。 与其他类型的晶体管相比，小信号MOS管具有以下优点： 高输入阻抗：因为MOSFET中的栅极-源极电容很大，所以它具有非常高的输入阻抗

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